G030N06T
Numărul de produs al producătorului:

G030N06T

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G030N06T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 223A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

73 Piese Noi Originale În Stoc
13239055
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G030N06T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
223A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11999 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
240W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3141-G030N06T
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

GT400P10T

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220

goford-semiconductor

GT750P10M

MOSFET P-CH 100V 24A TO-263

goford-semiconductor

GT400P10K

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

goford-semiconductor

G3K8N15KE

MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252