Numărul de produs al producătorului:
G3R75MT12J
Product Overview
Producător:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G3R75MT12J-DG
Descriere:
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventar:
4 Piese Noi Originale În Stoc
12945377
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G3R75MT12J Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
GeneSiC Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
G3R™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 7.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1560 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
224W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
G3R75
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1242-G3R75MT12J
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G3R75MT12J-TR
PRODUCĂTOR
GeneSiC Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2863
DiGi NUMĂR DE PARTE
G3R75MT12J-TR-DG
PREȚ UNIC
7.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3