Numărul de produs al producătorului:
GPI65005DF
Product Overview
Producător:
GaNPower
DiGi Electronics Cod de parte:
GPI65005DF-DG
Descriere:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Inventar:
167 Piese Noi Originale În Stoc
12972698
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
GPI65005DF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
GaNPower
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Pachet / Carcasă
Die
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4025-GPI65005DFTR
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Vendor Undefined
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
