Numărul de produs al producătorului:
ISL9N308AP3
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
ISL9N308AP3-DG
Descriere:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
3200 Piese Noi Originale În Stoc
12954236
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ISL9N308AP3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UltraFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Informații suplimentare
Alte nume
2156-ISL9N308AP3
FAIFSCISL9N308AP3
Pachet standard
370
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOT600A60L
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
TSG65N190CR RVG
650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
