Numărul de produs al producătorului:
IRFI630BTU
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFI630BTU-DG
Descriere:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
3453 Piese Noi Originale În Stoc
12934307
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFI630BTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFI630BTU
FAIFSCIRFI630BTU
Pachet standard
1,210
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
4AM17-91
POWER N AND P CHANNEL MOSFETS
IRFR121
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3230C-T1-A
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
