HUF76143S3ST
Numărul de produs al producătorului:

HUF76143S3ST

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

HUF76143S3ST-DG

Descriere:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 225W (Tc) Surface Mount TO-263AB

Inventar:

1364 Piese Noi Originale În Stoc
12933421
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

HUF76143S3ST Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
225W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AB
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-HUF76143S3ST
FAIFSCHUF76143S3ST
Pachet standard
423

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
harris-corporation

HUF76121S3

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

IPB100N04S2L-03ATMA2

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRF710B

N-CHANNEL POWER MOSFET