HUF76105SK8T
Numărul de produs al producătorului:

HUF76105SK8T

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

HUF76105SK8T-DG

Descriere:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

82500 Piese Noi Originale În Stoc
12933484
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

HUF76105SK8T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UltraFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
FAIFSCHUF76105SK8T
2156-HUF76105SK8T
Pachet standard
919

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

HUF75542S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF75823D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76113T3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF75939S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET