Numărul de produs al producătorului:
HUF75542P3
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
HUF75542P3-DG
Descriere:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1690 Piese Noi Originale În Stoc
12947233
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HUF75542P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UltraFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-HUF75542P3
FAIFSCHUF75542P3
Pachet standard
173
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
PSMN2R7-30BL,118
NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A
IRF6795MTRPBF
IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
