FQPF19N20
Numărul de produs al producătorului:

FQPF19N20

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQPF19N20-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

15905 Piese Noi Originale În Stoc
12947177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQPF19N20 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FQPF19N20
ONSONSFQPF19N20
Pachet standard
279

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
international-rectifier

IRF6646TRPBF

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD5N50TM

4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE

onsemi

NTR3A085PZT1G

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6613TRPBF

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW