FQPF17N40T
Numărul de produs al producătorului:

FQPF17N40T

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQPF17N40T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 9.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

RFQ Online
12947086
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQPF17N40T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FQPF17N40T Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FQPF17N40T
FAIFSCFQPF17N40T
Pachet standard
152

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI13N50CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDS9400A

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

fairchild-semiconductor

FQA9N90-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8