Numărul de produs al producătorului:
FQPF12P10
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF12P10-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
114717 Piese Noi Originale În Stoc
12817815
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF12P10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFQPF12P10
2156-FQPF12P10-FS
Pachet standard
523
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCH1337-TL-H
P-CHANNEL MOSFET
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
CPH6429-TL-E
MOSFET N-CH 60V 2A 6CPH
