Numărul de produs al producătorului:
FQI16N25CTU
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FQI16N25CTU-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
3589 Piese Noi Originale În Stoc
12900639
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQI16N25CTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FQI16N25CTU-FS
FAIFSCFQI16N25CTU
Pachet standard
417
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
TSM70N380CI C0G
MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB
TSM3N90CP ROG
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252
