Numărul de produs al producătorului:
FDS6986S
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS6986S-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 6.5A, 7.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
135644 Piese Noi Originale În Stoc
12935024
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS6986S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A, 7.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
695pF @ 10V, 1233pF @ 10V
Putere - Max
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS69
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFDS6986S
2156-FDS6986S
Pachet standard
606
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDZ2552P
MOSFET 2P-CH 20V 5.5A 18BGA
FDS6900S
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
EMH2401-TL-E
NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES