FDS6689S

Numărul de produs al producătorului:

FDS6689S

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS6689S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

1941 Piese Noi Originale În Stoc

12816892

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDS6689S Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

16A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

78 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3290 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SOIC

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FDS6689S-FSTR-DG

FAIFSCFDS6689S

2156-FDS6689S

Pachet standard

296

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

ECH8411-TL-E

MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH

fairchild-semiconductor

FDP5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3

fairchild-semiconductor

RFD4N06LSM9A

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

nxp-semiconductors

PMFPB8040XP,115

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6