FDS6612A
Numărul de produs al producătorului:

FDS6612A

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS6612A-DG

Descriere:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

141427 Piese Noi Originale În Stoc
12946380
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDS6612A Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDS6612AND
FAIFSCFDS6612A
Pachet standard
917

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDU6N50TU

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

nxp-semiconductors

BUK962R6-40E,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

international-rectifier

AUIRLU3114Z

AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL

international-rectifier

AUIRFR8405TRL

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK