FDS2170N3

Numărul de produs al producătorului:

FDS2170N3

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS2170N3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

2627 Piese Noi Originale În Stoc

13077234

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDS2170N3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

PowerTrench®

Ambalaj

Bulk

Starea piesei

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

128mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

36 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1292 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FDS2170N3-FSTR

FAIFSCFDS2170N3

Pachet standard

145

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

fairchild-semiconductor

FDU7030BL

MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK

fairchild-semiconductor

FDPF7N50F

MOSFET N-CH 500V 6A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS8674

MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN

nec-corporation

NP82N04NLG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO262