FDPF18N20FT-G
Numărul de produs al producătorului:

FDPF18N20FT-G

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDPF18N20FT-G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

1246 Piese Noi Originale În Stoc
12946430
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDPF18N20FT-G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FDPF18N20FT-G Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
ONSFSCFDPF18N20FT-G
2156-FDPF18N20FT-G
Pachet standard
392

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
international-rectifier

IRL3705ZPBF

IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW

international-rectifier

IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F