FDMS8027S

Numărul de produs al producătorului:

FDMS8027S

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDMS8027S-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

18985 Piese Noi Originale În Stoc

12947123

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDMS8027S Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

18A (Ta), 22A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1815 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-PQFN (5x6)

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FDMS8027S

FAIFSCFDMS8027S

Pachet standard

347

Clasificare de Mediu și Export

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7