Numărul de produs al producătorului:
FDMS3606AS
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDMS3606AS-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A 8PQFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 13A, 27A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
7184 Piese Noi Originale În Stoc
12946423
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDMS3606AS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A, 27A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1695pF @ 15V
Putere - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Numărul de bază al produsului
FDMS3606
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFDMS3606AS
2156-FDMS3606AS
Pachet standard
254
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMD8900
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
FDSS2407
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDMS3600AS
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
