FDME820NZT
Numărul de produs al producătorului:

FDME820NZT

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDME820NZT-DG

Descriere:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

Inventar:

9500 Piese Noi Originale În Stoc
12947551
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDME820NZT Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
865 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Pachet / Carcasă
6-PowerUFDFN

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FAIFSCFDME820NZT
2156-FDME820NZT
Pachet standard
760

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO

nxp-semiconductors

PMN40ENE115

NOW NEXPERIA PMN40ENE SMALL SIGN

nexperia

PH5030AL

PH5030AL - N-CHANNEL TRENCHMOS L

fairchild-semiconductor

HUFA75645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK