Numărul de produs al producătorului:
FDI038AN06A0
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDI038AN06A0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
2232 Piese Noi Originale În Stoc
12947643
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDI038AN06A0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFDI038AN06A0
2156-FDI038AN06A0
Pachet standard
102
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CMS100N04H8-HF
MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6
PMCM6501VNEZ
PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
HUF75545P3
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
