FDFMA2P859T
Numărul de produs al producătorului:

FDFMA2P859T

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDFMA2P859T-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin

Inventar:

14392 Piese Noi Originale În Stoc
12901666
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
5NMS
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDFMA2P859T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MicroFET 2x2 Thin
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
Pachet standard
1,110

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMN62D0LFB-7

MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

diodes

DMP2033UVT-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

diodes

DMP2123LQ-13

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

diodes

DMTH8012LPSQ-13

MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060