Numărul de produs al producătorului:
FDD8878
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD8878-DG
Descriere:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
30452 Piese Noi Originale În Stoc
12947285
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD8878 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878
Pachet standard
611
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQPF10N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
RJK1535DPE-LE
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
FDD8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1