FDD6688S

Numărul de produs al producătorului:

FDD6688S

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDD6688S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 88A DPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 88A (Ta) 69W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

6966 Piese Noi Originale În Stoc

13076004

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDD6688S Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

PowerTrench®

Ambalaj

Bulk

Starea piesei

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

88A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

81 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3290 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

69W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-252 (DPAK)

Pachet / Carcasă

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FDD6688S

FAIFSCFDD6688S

2156-FDD6688S-FSTR-ND

Pachet standard

217

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

fairchild-semiconductor

FDB5645

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

fairchild-semiconductor

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDS6299S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

nec-corporation

NP80N04NDG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO262