FCPF380N60
Numărul de produs al producătorului:

FCPF380N60

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FCPF380N60-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10.2A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

5000 Piese Noi Originale În Stoc
12946801
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
vDlE
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FCPF380N60 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
SuperFET® II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1665 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FCPF380N60 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FCPF380N60
FAIFSCFCPF380N60
Pachet standard
204

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI