FCP170N60
Numărul de produs al producătorului:

FCP170N60

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FCP170N60-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

800 Piese Noi Originale În Stoc
12955225
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FCP170N60 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
SuperFET® II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 380 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FCP170N60
FAIFSCFCP170N60
Pachet standard
85

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J356R,LXHF

AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F

vishay-siliconix

IRL530STRR

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

onsemi

FDC658APG

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6

infineon-technologies

IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1