Numărul de produs al producătorului:
EPC2016
Product Overview
Producător:
EPC
DiGi Electronics Cod de parte:
EPC2016-DG
Descriere:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Inventar:
12815126
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EPC2016 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
EPC
Ambalare
-
Serie
eGaN®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Pachet / Carcasă
Die
Numărul de bază al produsului
EPC20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
EPC2016C
PRODUCĂTOR
EPC
CANTITATE DISPONIBILĂ
177045
DiGi NUMĂR DE PARTE
EPC2016C-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
