Numărul de produs al producătorului:
FBG30N04CC
Product Overview
Producător:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Cod de parte:
FBG30N04CC-DG
Descriere:
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 4A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventar:
58 Piese Noi Originale În Stoc
12997462
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FBG30N04CC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
EPC Space
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 150 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-SMD
Pachet / Carcasă
4-SMD, No Lead
Informații suplimentare
Alte nume
4107-FBG30N04CC
Pachet standard
169
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PH4030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
