Numărul de produs al producătorului:
ZXMN10A08DN8TA
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
ZXMN10A08DN8TA-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Inventar:
2043 Piese Noi Originale În Stoc
12905863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ZXMN10A08DN8TA Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.6A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 50V
Putere - Max
1.25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
ZXMN10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ZXMN10A08DN8TACT-NDR
ZXMN10A08DN8TACT
ZXMN10A08DN8TATR-NDR
ZXMN10A08DN8TATR
ZXMN10A08DN8TADKR
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ZXMD63C02XTA
MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
ZXMP6A18DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
ZXMC4A16DN8TC
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
