Numărul de produs al producătorului:
ZXMHC10A07N8TC
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
ZXMHC10A07N8TC-DG
Descriere:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO
Inventar:
17688 Piese Noi Originale În Stoc
12904662
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ZXMHC10A07N8TC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA, 680mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Putere - Max
870mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
ZXMHC10A07
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ZXMHC10A07N8DITR
ZXMHC10A07N8DICT
ZXMHC10A07N8DIDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMC3035LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
