ZXMHC10A07N8TC
Numărul de produs al producătorului:

ZXMHC10A07N8TC

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

ZXMHC10A07N8TC-DG

Descriere:

MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO

Inventar:

17688 Piese Noi Originale În Stoc
12904662
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

ZXMHC10A07N8TC Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA, 680mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Putere - Max
870mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
ZXMHC10A07

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
ZXMHC10A07N8DITR
ZXMHC10A07N8DICT
ZXMHC10A07N8DIDKR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMC3035LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP

diodes

ZXMN6A11DN8TA

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO

diodes

ZXMN2A04DN8TC

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO

diodes

BSS138DW-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363