Numărul de produs al producătorului:
DMTH69M8LFVW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH69M8LFVW-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
13270062
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH69M8LFVW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMTH69
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH69M8LFVW-13TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMTH69M8LFVW-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH69M8LFVW-7-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMPH2040UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
DMTH4001SPS-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
