Numărul de produs al producătorului:
DMTH31M7LPSQ-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH31M7LPSQ-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
12979261
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH31M7LPSQ-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5741 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH31M7LPSQ-13TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
DMP68D0LFB-7B
MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
NVMFS4C308NWFT1G
TRENCH 30V NCH
