DMTH10H4M6SPSW-13
Numărul de produs al producătorului:

DMTH10H4M6SPSW-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMTH10H4M6SPSW-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 115A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventar:

13242567
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMTH10H4M6SPSW-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Ta), 115A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4327 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMTH10H4M6SPSW-13TR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
DMTH10H4M6SPSWQ-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH10H4M6SPSWQ-13-DG
PREȚ UNIC
0.88
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMTH6004SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMPH4009SSS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2

diodes

DMP31D1UQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN2710UFBQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-