Numărul de produs al producătorului:
DMTH10H1M7STLW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH10H1M7STLW-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8
Inventar:
12979310
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH10H1M7STLW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9871 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
POWERDI1012-8
Pachet / Carcasă
8-PowerSFN
Numărul de bază al produsului
DMTH10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH10H1M7STLW-13CT
31-DMTH10H1M7STLW-13DKR
31-DMTH10H1M7STLW-13TR
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMTH10H1M7STLWQ-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
1473
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH10H1M7STLWQ-13-DG
PREȚ UNIC
2.40
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6644TRPBF
IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
DMN3009LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMP31D7L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
