DMT63M6LPSW-13
Numărul de produs al producătorului:

DMT63M6LPSW-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT63M6LPSW-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 2.7W (Ta), 70.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventar:

13242656
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMT63M6LPSW-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2479 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMT63M6LPSW-13TR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMTH4007SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMPH4026SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMP4016SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMP31D1UW-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R