Numărul de produs al producătorului:
DMT6012LFDF-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT6012LFDF-7-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12949427
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT6012LFDF-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2020-6 (Type F)
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
DMT6012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN55D0UT-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
ZXMP6A17N8TC
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
