Numărul de produs al producătorului:
DMT6009LCT
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT6009LCT-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 37.2A (Tc) 2.2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
838 Piese Noi Originale În Stoc
12884169
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT6009LCT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
DMT6009
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMT6009LCTDI-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMPH6050SFGQ-13
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
BSS123W-7
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
DMN2028UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
