DMT47M2LDV-7

Numărul de produs al producătorului:

DMT47M2LDV-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT47M2LDV-7-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

Descriere detaliată:

Mosfet Array 40V 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

Inventar:

RFQ Online

12895184

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMT47M2LDV-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

11.9A (Ta), 30.2A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

10.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

891pF @ 20V

Putere - Max

2.34W (Ta), 14.8W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Pachet dispozitiv furnizor

PowerDI3333-8 (Type UXC)

Numărul de bază al produsului

DMT47

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMT47M2LDV-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMT47M2LDV-7DI

Pachet standard

2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMT10H017LPD-13

MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

DMNH6065SPDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50

diodes

DMP2066LSD-13

MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM500P02DCQ RFG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN