Numărul de produs al producătorului:
DMT35M4LFVW-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT35M4LFVW-7-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 60A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
2000 Piese Noi Originale În Stoc
13000759
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT35M4LFVW-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
982 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMT35M4LF
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMT35M4LFVW-7TR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
