DMT31M7LSS-13

Numărul de produs al producătorului:

DMT31M7LSS-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT31M7LSS-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 25A (Ta), 78A (Tc) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventar:

RFQ Online

12979014

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMT31M7LSS-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

25A (Ta), 78A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5492 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.7W (Ta), 5.9W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

31-DMT31M7LSS-13TR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN3016LFDF-7-90

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMN62D4LFB-7B

MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006

onsemi

FCPF380N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3

diodes

DMP31D7LFBQ-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006