DMT3020LDV-13

Numărul de produs al producătorului:

DMT3020LDV-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT3020LDV-13-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERDI3333

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 32A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

Inventar:

RFQ Online

12948751

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMT3020LDV-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Putere - Max

900mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Pachet dispozitiv furnizor

PowerDI3333-8 (Type UXC)

Numărul de bază al produsului

DMT3020

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMT3020LDV-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN2053UVT-7

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26

diodes

DMNH4026SSD-13

MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO

infineon-technologies

IAUC60N04S6N050HATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

infineon-technologies

IAUC60N04S6L030HATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON