DMT15H053SK3-13
Numărul de produs al producătorului:

DMT15H053SK3-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT15H053SK3-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

12993016
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMT15H053SK3-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
814 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMT15

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMT15H053SK3-13
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMP2900UFB-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

diodes

DMT10H4M9SPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50

diodes

DMTH12H007SK3-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&

goford-semiconductor

G2K8P15S

P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V