Numărul de produs al producătorului:
DMT10H9M9LCT
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT10H9M9LCT-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
13000818
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT10H9M9LCT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2309 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
DMT10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMT10H9M9LCT
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP3045LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT3020LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMG1012UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
