Numărul de produs al producătorului:
DMT10H032SFVW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT10H032SFVW-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
12978974
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT10H032SFVW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
544 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMT10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMT10H032SFVW-13TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMT10H032SFVW-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT10H032SFVW-7-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMN3016LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMNH6021SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
