DMS2220LFW-7

Numărul de produs al producătorului:

DMS2220LFW-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMS2220LFW-7-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

Descriere detaliată:

P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020 (3x2)

Inventar:

RFQ Online

12899484

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMS2220LFW-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

632 pF @ 10 V

Caracteristică FET

Schottky Diode (Isolated)

Disiparea puterii (max)

1.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-DFN3020 (3x2)

Pachet / Carcasă

8-VDFN Exposed Pad

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMS2220LFW-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMS2220LFWDICT

DMS2220LFW7

DMS2220LFWDITR

DMS2220LFWDIDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

taiwan-semiconductor

TSM70N1R4CP ROG

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252

taiwan-semiconductor

TSM70N900CH C5G

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM70N600ACL X0G

MOSFET N-CH 700V 8A TO262S

TSM1NB60SCT B0

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92