DMP213DUFA-7B

Numărul de produs al producătorului:

DMP213DUFA-7B

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMP213DUFA-7B-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN

Descriere detaliată:

P-Channel 25 V 145mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Inventar:

RFQ Online

12895488

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMP213DUFA-7B Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

25 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

145mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

0.35 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

-8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

27.2 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

360mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

X2-DFN0806-3

Pachet / Carcasă

3-XFDFN

Numărul de bază al produsului

DMP213

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMP213DUFA-7B-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

diodes

DMTH4008LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMTH10H025LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

diodes

DMTH6010SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060