Numărul de produs al producătorului:
DMP2010UFG-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMP2010UFG-7-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
4571 Piese Noi Originale În Stoc
12888679
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMP2010UFG-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3350 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMP2010
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMP2010UFG-7DICT
DMP2010UFG-7DITR
DMP2010UFG-7DIDKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
