Numărul de produs al producătorului:
DMN95H2D2HCTI
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN95H2D2HCTI-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12884507
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN95H2D2HCTI Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
950 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1487 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
DMN95
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
DMG3415U-13
MOSFET P-CH DFN-3
DMG2301LK-7
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
