DMN90H8D5HCTI
Numărul de produs al producătorului:

DMN90H8D5HCTI

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN90H8D5HCTI-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventar:

12883041
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN90H8D5HCTI Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
DMN90

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

diodes

DMP3056LVT-7

MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26

diodes

DMN80H2D0SCTI

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

diodes

DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060