DMN90H8D5HCTI

Numărul de produs al producătorului:

DMN90H8D5HCTI

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN90H8D5HCTI-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventar:

RFQ Online

12883041

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN90H8D5HCTI Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

900 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

470 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

30W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ITO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Numărul de bază al produsului

DMN90

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN90H8D5HCTI-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

DMP3056LVT-7

MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26

diodes

DMN80H2D0SCTI

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

diodes

DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060