DMN65D8LFB-7
Numărul de produs al producătorului:

DMN65D8LFB-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN65D8LFB-7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventar:

12895603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN65D8LFB-7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
430mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
X1-DFN1006-3
Pachet / Carcasă
3-UFDFN
Numărul de bază al produsului
DMN65

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
DMN65D8LFB-7DIDKR
DMN65D8LFB-7DITR
DMN65D8LFB-7DICT
DMN65D8LFB-7-DG
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
NX7002BKMYL
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
91465
DiGi NUMĂR DE PARTE
NX7002BKMYL-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
taiwan-semiconductor

TSM120N06LCS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM4800N15CX6 RFG

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM340N06CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252

taiwan-semiconductor

TSM6N60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252